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用于减少功率半导体接通过程中电磁放射的方法和装置.pdf

摘要
申请专利号:

太阳城集团CN200980140618.5

申请日:

2009.08.19

公开号:

CN102177655B

公开日:

2014.09.17

当前法律状态:

授权

有效性:

有权

法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):H03K 17/16申请日:20090819|||公开
IPC分类号: H03K17/16; H03K17/567 主分类号: H03K17/16
申请人: 罗伯特·博世有限公司
发明人: S·亨布格尔
地址: 德国斯图加特
优先权: 2008.10.16 DE 102008042895.7
专利代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李少丹;李家麟
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法律状态
申请(专利)号:

CN200980140618.5

授权太阳城集团号:

102177655B||||||

法律状态太阳城集团日:

2014.09.17|||2011.11.16|||2011.09.07

法律状态类型:

授权|||实质审查的生效|||公开

摘要

提出一种用于在功率半导体(16)的接通过程中借助电流预控制(25)减少电磁放射的方法以及一种用于实施该方法的装置(10),其中,功率半导体(16)这样控制负载(12),使接通之后负载电流(IL、ID,3、ID,4)通过负载(12)和功率半导体(16)流动,其饱和值(ID,sat,3、ID,sat,4)确定功率半导体(16)的工作点,以及其中为负载电流(IL、ID,3、ID,4)不同的饱和值(ID,sat,3、ID,sat,4)产生功率半导体(16)的不同工作点。该方法的特征在于,通过电流预控制(25)预先规定的控制电流(IS、IG,3、IG,4)基本上划分成至少两个彼此相继的半波(44、46),其中针对功率半导体(16)相当于负载电流(ID,3)的最高饱和值(ID,sat,3)的工作点,当负载电流(IL、ID,3)大致达到了其最大值(ID,max,3)时,在第一半波(44)后跟随另一半波(46)。

权利要求书

1: 一种用于在功率半导体 (16) 的接通过程中借助电流预控制 (25) 减少电磁放射的方 法, 其中, 所述功率半导体 (16) 控制负载 (12), 使得在接通之后负载电流 (IL、 ID, ID, 3、 4) 流 过负载 (12) 和功率半导体 (16), 所述负载电流的饱和值 (ID,sat, ID,sat, 3、 4) 确定所述功率半 导体 (16) 的工作点, 以及其中针对所述负载电流 (IL、 ID, ID, ID, 3、 4) 的不同饱和值 (ID, sat, 3、 其特征在于, 通过电流预控制 (25) 预先规定 sat, 4) 产生所述功率半导体 (16) 的不同工作点, 的控制电流 (IS、 IG, IG, 46), 其中针对所述 3、 4) 基本上划分成至少两个彼此相继的半波 (44、 功率半导体 (16) 的相当于负载电流 (ID, 当所述负载电 3) 的最高饱和值 (ID, sat, 3) 的工作点, 流 (IL、 ID, 则在第一半波 (44) 之后跟随另一半波 (46)。 3) 大致达到了其最大值 (ID, max, 3) 时,
2: 按权利要求 1 所述的方法, 其特征在于, 所述控制电流 (IS、 IG, IG, 46) 3、 4) 的半波 (44、 的太阳城集团上的划分在功率半导体 (16) 的相当于低于最高饱和值 (ID,sat, 3) 的饱和值 (ID, sat, 4) 的工作点处保持不变。
3: 按前述权利要求之一所述的方法, 其特征在于, 所述控制电流 (IS、 IG, IG, 3、 4) 的半波 (44、 46) 分别近似相当于正的正弦形半波。
4: 按前述权利要求之一所述的方法, 其特征在于, 所述控制电流 (IS、 IG, IG, 3、 4) 第二半 波 (46) 的振幅高于所述第一半波 (44) 的振幅。
5: 按前述权利要求之一所述的方法, 其特征在于, 所述控制电流 (IS、 IG, IG, 3、 4) 第二半 波 (46) 的持续太阳城集团短于所述第一半波 (44) 的持续太阳城集团。
6: 按前述权利要求之一所述的方法, 其特征在于底层调节 (48), 例如底层 PI 调节。
7: 用于实施按权利要求 1-6 之一所述方法的装置 (10)。
8: 按权利要求 7 所述的装置 (10), 其特征在于, 所述功率半导体 (16) 是 MOSFET(18) 或者 IGBT(20)。
9: 按权利要求 8 所述的装置 (10), 其特征在于, 所述控制电流 (IS) 是 MOSFET(18) 或 者 IGBT(20) 的栅极电流 (IG, IG, 3、 4)。
10: 按前述权利要求 8 或 9 之一所述的装置 (10), 其特征在于, 所述负载电流 (IL) 相 当于 MOSFET(18) 的漏极电流 (ID, ID, 3、 4) 或者 IGBT(20) 的集电极电流。

关 键 词:
用于 减少 功率 半导体 接通 过程 电磁 放射 方法 装置
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